NAND擦除的时候以block为单位是这种芯片的特性，擦除的时候有专门的命令，可以找相应NAND的DATASHEET看一下。
这是闪存特性决定的，P是衬底，在组织结构上，一个Block当中所有的存储单元是共用一个衬底的（Substrate）。当对某个衬底施加强电压，那么上面所有浮栅极（Floating Gate）的电子都会被吸出来。这就是Flash Erase操作。摘选自《深入浅出SSD》
