大学物理位移电流密度，求详细答案。。

电器电场强度：E = q / (εdao0 A) = qm/(ε0 A) * sinωt

电位移：D = ε0 E = qm/A * sinωt

电容内器内的位移电流容密度为：Id = dD/dt = qm ω/A * cosωt

由定义J=εdE/dt，题中E线性增加，所以位移电流方向与E一致：垂直纸面向内。位移电流产生的感生磁场方向的判断和普通电流一样都是右手螺旋，所以感生磁场方向为顺时针，即P点的感生磁场的方向为沿纸面垂直OP向下。

扩展资料：

设S为空间任一闭合曲面，其法线向外，C为S上一有向闭合曲线，分S为S1、S2两个曲面，按右手法则，S1的法线将指向内部，而S2的法线保持不变。设在此空间内有稳恒电流流动，在某时刻穿过S1面的电流为IS1，穿过S2面的电流为IS2，根据电荷守恒定律，不可能有电荷在S内积累或放出，所以，IS1= IS2。 

参考资料来源：百度百科-位移电流密度

电容器内电场强度 E = q / (ε0 A) = qm/(ε0 A) * sinωt
电位移 D = ε0 E = qm/A * sinωt
电容器内的位移电流密度为 Id = dD/dt = qm ω/A * cosωt